深圳中科云信息技术有限公司

深圳中科云射频氮化镓器件强势来袭

价格:面议 2019-07-29 12:59:09 489次浏览

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延伸拓展

详情介绍:3.氮化镓,分子式GaN,英文名称Galliumnitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下,产生紫光(405nm)激光。氮化镓功率器件系列具有低的热产生率和高的击穿电场,是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前,随着MBE技术在氮化镓功率器件应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破,成功地生长出了GaN多种异质结构。用氮化镓功率器件制备出了金属场效应晶体管(MESFET)、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管(MODFET)等新型器件。调制掺杂的AlGaN/GaN结构具有高的电子迁移率(2000cm2/v·s)、高的饱和速度(1×107cm/s)、较低的介电常数,是制作微波器件的优先材料;GaN较宽的禁带宽度(3.4eV)及蓝宝石等材料作衬底,散热性能好,有利于器件在大功率条件下工作。氮化镓功率器件系列是一种理想的短波长发光器件材料,GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。自从1991年日本研制出同质结GaN蓝色LED之后,InGaN/AlGaN双异质结超亮度蓝色LED、InGaN单量子阱GaNLED相继问世。目前,Zcd和6cd单量子阱GaN蓝色和绿色LED已进入大批量生产阶段,从而填补了市场上蓝色LED多年的空白。以发光效率为标志的LED发展历程见图3。蓝色发光器件在高密度光盘的信息存取、全光显示、激光打印机等领域有着巨大的应用市场。<br/><br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;<div style="text-align:center;"><img style='display:block;margin: 0 auto;max-height: 334px;max-width: 550px;' src='http://images./images/upload/20190326/_0026.jpg'/></div>在业务高速发展的同时,深圳中科云始终强调外部机会与内部管理的平衡,十分注重企业核心竞争力的培养与塑造。公司将客户服务价值作为企业的核心竞争力。深圳中科云秉承“诚信正直、追求更好、尊重个人”的企业精神,努力为客户提供单位装专用的wifi滤波器。更多详情尽在深圳中科云官网:style="text-align:center;"><img style='display:block;margin: 0 auto;max-height: 334px;max-width: 550px;' src='http://images./images/upload/20190326/_3776.jpg'/></div>

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