场效应管（Field Effect Transistor）又称场效应晶体管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，[1]它属于电压控制型半导体器件。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。
场效应管具有输入电阻高（10 7～10 15Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和 功率晶体管的强大竞争者。
与 双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
（1）场效应管是电压控制 器件，它通过V GS(栅源电压)来控制I D（漏极电流）；
（2）场效应管的控制输入端 电流极小，因此它的 输入电阻（10 7～10 12Ω）很大。