武汉普赛斯仪表有限公司

S型源表搭建微电子器件与材料实验

价格:26001 2024-11-15 12:00:01 682次浏览

本科生微电子器件及材料实验目的

通过实验动手操作,加深对半导体物理理论知识的理解,掌握半导体材料和不同器件性能的表征方法及基本实验技能,培养分析问题和解决问题的能力。

本科生微电子器件及材料实验目录

实验一:金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性IV特性测试实验

实验二:四探针法测量半导体电阻率测试实验

实验三: MOS电容的CV特性测试实验

实验四:半导体霍尔效应测试实验实验

实验五:激光二极管LD的LIV特性测试实验

实验六:太阳能电池的特性表征实验

本科生微电子器件及材料实验测试平台优势

满足本科生基础教学实验中微电子器件和材料测试需求

测试设备简单易用,专业,方便学生动手操作

核心设备测试精度高,满足新材料和新器件的指标要求

测试软件功能齐全,平台化设计,有专人维护支持,与专业测试软件使用相同架构

以基础平台为起点,可逐步升级,满足日益增加的实验室测试需求

本科生微电子器件及材料实验测试平台基本功能

实验名称

测试参数

金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性的IV特性测试实验

l输出特性曲线

l转移特性曲线

l跨导gm

l击穿电压BVDS

l

四探针法测量半导体电阻率测试实验

l四探针法电阻率ρ

l材料阻值R

MOS电容的CV特性测试实验(低频 + 高频)

lCV特性曲线

半导体霍尔效应测试实验

l霍尔电压VH

l霍尔电阻率ρ

l霍尔系数RH

l载流子浓度n

l霍尔迁移率u

激光二极管LDLIV特性测试

lLIV特性曲线

l阈值电流Ith

l阈值电流对应电压值Vth

l拐点Kink

l线性电阻Rs

太阳能电池的特性表征

l开路电压Voc

l短路电流Isc

l功率值Pmax

l填充因子FF

l转换效率η

l串联电阻Rs

l旁路电阻Rsh

本科生微电子器件及材料实验测试平台核心

测试平台的核心– 源测量单元(源表, SMU)

普赛斯国产源表五表合一四象限模式

四线/开尔文测试功能

小信号测试

满足先进器件和材料测试需求

交流测试使用LCR表

探针台:4寸或6寸手动探针台

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