IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。
igbt驱动器是驱动igbt并对其整体性能进行调控的装置，它不仅影响了igbt 的动态性能，同时也影响系统的成本和可靠性。驱动器的选择及输出功率的计算决定了换流系统的可靠性。驱动器功率不足或选择错误可能会直接导致 igbt 和驱动器损坏。
提供适当的正反向电压，使IGBT能可靠地开通和关断。当正偏压增大时IGBT通态压降和开通损耗均下降，但若ce过大，则负载短路时其c随ce增大而增大，对其不利，使用中选GE《15V为好。负偏电压可防止由于关断时浪涌电流过大而使IGBT误导通，一般选UGE -- 5V为宜。
采用脉冲变压器隔离驱动IGBT，该方式是利用变压器的工作原理，由次级感应电压直接驱动IGBT，如上图1所示。由于变压器具有阻抗变换与隔离作用，所以这种驱动方式不仅简化了驱动电路，还解决了驱动电路的供电与 IGBT不共地的连接问题。