绝缘栅双极晶体管（IGBT)功率模块具有快速开关能力和高电压容量，在各种应用中得到越来越多的运用。陶氏粘合剂有机硅解决方案可密封并保护先进的印刷电路板组装系统，这些系统可在变速驱动器、太阳能逆变器、风能转换器、不间断电源、动力传输系统、电动汽车、铁路和海运等具有挑战性的应用中驱动IGBT。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
热限制就是我们脉冲功率，时间比较短，它可能不是一个长期的工作点，可能突然增加，这个时候就涉及到另外一个指标，动态热阻，我们叫做热阻抗。这个波动量会直接影响到IGBT的可靠性，就是寿命问题。你可以看到50赫兹波动量非常小，这个寿命才长。
三相380V输入电压经过整流和滤波后，直流母线电压的值：在开关工作的条件下，IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍，根据IGBT规格的电压等级，选择1200V电压等级的IGBT。
以30kW变频器为例，负载电流约为79A，由于负载电气启动或加速时，电流过载，一般要求1分钟的时间内，承受1.5倍的过流，择负载电流约为119A ，建议选择150A电流等级的IGBT。