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太原市IGBT模块批发,性价比高,经久耐用

价格:面议 2022-10-17 10:52:01 262次浏览

IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。

IGBT电路是负责变频器功率输出的部分。通常包含IGBT模块和IGBT的触发电路和电流反馈元件。触发电路包含隔离变压器、整流二极管、光耦隔离芯片,根据使用IGBT模块型号,有些需使用配套的触发驱动芯片以及保护电路。

在IGBT使用过程中,可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小,从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。

1)当IGBT栅-射极加上加0或负电压时,MOSFET内沟道消失,IGBT呈关断状态。

2)当集-射极电压UCE<0时,J3的PN结处于反偏,IGBT呈反向阻断状态。

3)当集-射极电压UCE>0时,分两种情况:

若栅-射极电压UGE<Uth,沟道不能形成,IGBT呈正向阻断状态。

若栅-射极电压UGE>Uth ,栅极沟道形成,IGBT呈导通状态(正常工作)。此时,空穴从P+区注入到N基区进行电导调制,减少N基区电阻RN的值,使IGBT通态压降降低。

热限制就是我们脉冲功率,时间比较短,它可能不是一个长期的工作点,可能突然增加,这个时候就涉及到另外一个指标,动态热阻,我们叫做热阻抗。这个波动量会直接影响到IGBT的可靠性,就是寿命问题。你可以看到50赫兹波动量非常小,这个寿命才长。

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