绝缘栅双极晶体管（IGBT)功率模块具有快速开关能力和高电压容量，在各种应用中得到越来越多的运用。陶氏粘合剂有机硅解决方案可密封并保护先进的印刷电路板组装系统，这些系统可在变速驱动器、太阳能逆变器、风能转换器、不间断电源、动力传输系统、电动汽车、铁路和海运等具有挑战性的应用中驱动IGBT。
GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
作为新型功率半导体器件的主流器件，IGBT已广泛应用于工业、4C（通信、计算机、消费电子、汽车电子）、航空航天、国防军工等传统产业领域，以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域。
热限制就是我们脉冲功率，时间比较短，它可能不是一个长期的工作点，可能突然增加，这个时候就涉及到另外一个指标，动态热阻，我们叫做热阻抗。这个波动量会直接影响到IGBT的可靠性，就是寿命问题。你可以看到50赫兹波动量非常小，这个寿命才长。